(18.02.1921)
физик, академик
Роден в София. Завършва физика в Софийския университет (1943). Специализира в Берлин (1954—1955) и във Физическия институт при АН на СССР в Москва (1956—1957).
Член-кореспондент (1967). Академик (1984).
Научен сътрудник (1948—1957), старши научен сътрудник (1957— 1959), зам.-директор на Физическия институт (1959—1961). Директор на Института по физика на твърдото тяло (1973—) и на Единния център по физика при БАН (1972—1988).
Асистент (1945—1948), доцент (1957—1959), професор (1963) и ръководител на Катедрата по физика на твърдото тяло (1963—1980). Декан на Физическия факултет (1961—1964 и 1966—1968) и зам.-ректор на Софийския университет (1964—1966 и 1968—1972).
Член на Европейското физическо дружество (1970).
Лауреат на Димитровска награда (1982); орден „Кирил и Методий” I ст. (1959, 1963, 1968), „9 септември 1944 г.”1ст. (1971), „На- родна република България” I ст. (1981).
Работи по проблемите на широкозонните полупроводници от групата А2Ве, акустоелектрониката и акустооптиката, температурните вълни в кристали и взаимодействието им с електрони, изследва високотемпературната свръхпроводимост с дипол-диполни взаимодействия на малки полярони.
БИБЛИОГРАФИЯ
1969. Прост лабораторен метод за приготовляване на тънкослойни полеви транзистори от кадмиев сулфид (в съавт.). — Год. СУ. Физ. фак., 62, 1969, 275-278.
Усиление колебаний изгиба в монокристаллических пластинках из сульфида кадмия при протекании через них злектрического тока (в съавт.). — Докл. БАН, 1969, № 9, 991—994.
1971. Amplification of flexural waves in signal crystal platelets of CdS (et al.). - Phys. Stat. Sol., 1971, No 8, 291-297.
Current oscillation in the non-equilibrium electronic plasma of pieso- semi conductors (et al.). — CR ABS, 1971, No 5, 577—580.
-
1-arm phase optical bridge with axial symmetry (with interference Newton fringes) for measuring small periodic displacements (et al.). — Electr. lett., 1973, No 16, 355—357.
Thermomodulated photoconductivity (TMPh) of CdS (et al.). —
CR ABS, 1973, No 3, 319-322.
-
Electrically controlled acoustic — surface — waves filters (et al.). — Electr. lett., 1974, No 24, 510-520.
-
Влияние на светлината върху фононните спектри на кадмиевия сулфид (в съавт.). — В: Акустика’75. С., 1975, 289—292.
A resonant gate transistor with an active vibrator (RGTAV) (et al.). — Intern. J. Electron., 39, 1975, No 4, 377—384.
On the development of the fluctuation instabilities in crystals with N-shaped velocity field characteristics (et al.). — Bulg. J. Phys., 1975, No 3, 206-215.
-
Оптичен фазов мост за измерване на малки периодични премествания (в съавт.). — В: I Нац.конф. „Физика—производство”. Ч. 1-2. С., 1976, 144-150.
Holographic study of vibrations of piesoelectric AT-gut quartz resonators (et al.). - CR ABS, 1976, No 4, 477-480.
One-arm phase optical bridge for measuring small amplitude high frequency vibrations (et al.). — Japan. J. Appl. Phys., 1976, No 5, 797-801.
Photosensitivity of the lattice vibrational modes of CdS measured by means of a differential Raman analysis (et al.). — J. Phys. C: Solid State Phys., 9,1976, 3557-3560.
-
Приборы на упругих поверхностных волнах, управляемые МОП- интегральными схемами (в съавт.). — Болг. физ. журн., 1977, № 1, 42-46.
An acoustic approach to the optical spectroscopy of solids (et al.). — II nuovo dimento, 39, B, 1977, No 2, 550—555.
Broadening of the frequency band of phase-shifters of surface acoustic waves (et al.). — Bulg. J. Phys., 1977, No 6, 663—668.
Fast-action commutators of signals on surface acoustic waves governed by MOS integral circuits (et al.); Studies on monolithic quartz filters (et al.). - Bulg. J. Phys., 1977, No 5, 531-538; 523-531.
-
A new aspect in the photoacoustic spectroscopy of semiconductors (et al.). — In: Intern. Conf. Phys. semiconductors. Edinburgh, 1978, 219—222.
Differential analysis of the 114 cm1-line in the vibrational spectrum of red monocrystaline Hgl2 using covalence bond modulation (et al.). — Opt. Commun., 1978, No 3, 221—235.
Principles of the monolithic crystal transformer (MCT) (et al.). — CR ABS, 1978, No 2, 167-169.
Transmission characteristics of two-electrode monolithic systems (et al.). - Bulg. J. Phys., 1978, No 2, 221-236.
-
Возможности использования пьезоэлектрических резонаторов для прецизионных фазометрических измерений (в съавт.). — Болг. физ. журн., 1979, № 3,325—332.
An application of thickness-shear approximation of the analysis of mult- ielectroded monolithic structures (et al.). — Wave Electron., 4, 1979, 67-80.
Integral phase-measured schemes with increased accuracy in wider frequency range (et al.). — CR ABS, 1979, No 8,1065—1067.
Simple method for high-accuracy measurements of the velocity of acoustic surface waves (et al.). — CR ABS, 1979, No 9, 1203—1205.
-
Investigations on a new force — frequency measuring gauge (et al.). — Electr. Lett., 1980, No 2, 71-72.
-
A pilot precision autoclave for hydrothermal growth of quartz crystals (et al.). - Bulg. J. Phys., 1981, No 6, 614-624.
-
Growth of piesoelectric quartz crystals of a new type of raw material (et al.). - CR ABS, 1982, No 6, p. 761.
Studies of the hydrothermal growth of piezoelectric quartz (et al.). — Bulg. J. Phys., 1982, No 4, p. 353.
Studies of monoquartites as a quartz nutrient for the hidrothermal growth of piezoelectric quartz crystals (et al.). — Bulg. J. Phys., 1982, No 3, p. 314.
-
Хидравлично устройство за отваряне на автоклави (в съавт.). — Машиностроене, 1983, № 1, 33—34.
-
High-frequency thermosensitive quartz resonators (et al.). — Bulg. J. Phys., 1984, No 6, 603-610.
Measurment of weak signals due to acoustoelectronic interaction in semicon (et al.). — CR ABS, 1984, No 9, 1195—1197.
MOS-gesteuerte Bauelemente auf der akustischer Oberflachenwellen (et al.). — Nachrichtentechn. Elektr., 2,1984, 67—69.
-
Studies on the hydrothermal growth of piesoelectric quartz (et al.); Piesoresonance thermosensitive quartz sensors (et al.). — In: V Meet. Comm, on Electromech. Dev. Their Appl. Tokyo, 1985, 1—23;24—49. Convolver based on the structure piesoelectric-liquid-semiconductor (et al.). — Bulg. J. Phys., 1985, No 6, 573—578.
Use of transparent conductive layer for observing transverse acoustoelectronic effects (et al.). — CR ABS, 1985, No 7, 843—846.
-
Moglichkeiten zur Frequenzmodulation von akustischen Oberflachen- wellen-Verzogerungsleitungs-Oszillatoren (AOWVZLO). — Wiss. Beitr., 16,1986, No 1,15-27.
-
Possible explanation of the high-temperature superconductivity in complex oxides. — CR ABS, 1987, No 12, 21—24.
Self-consistent temperature waves in semiconductors associated with Carrier’s drift (et al.). — Bulg. J. Phys., 1987, No 6, 522—530.
-
Pairing of off-center polarons due dipole-dipole interaction: possible clue to the high-temperature superconductivity (et al.). — Z. Phys., 70, 1988, 413-420.
Pairing of off-center small polarons due to dipol-dipol interaction (et al.). — J. Luminescence, 40—41, 1988, 501—502.
Surface temperature waves (et al.). — CR ABS, 1988, No 3, 29—32. Temperature waves in infinite isotropic plates and in thin films (et al.). - Bulg. J. Phys., 1988, No 3, 239-251.
Transverse acoustoelectric effect in piesoelectric configuration-metal conductive sample (et al.). — Acoust. Lett., 1988, No 12, 229—232. Vibronic bipolaron model for the high-Tc superconductivity (et al.). — Physica C, 14, 1988, 153-155.
АВТОРСКИ СВИДЕТЕЛСТВА
Авт. свид. № 20024/1973. Резонансен транзистор с вибратор (в съавт.).
Авт. свид. № 21173/1974. Генератор за ниски честоти (в съавт.).
Авт. свид. № 21158/1974. Фоторезонансен честотно-селективен транзистор (в съавт.). Авт. свид. № 22709/1974. Излъчвател на повърхнинни акустични вълни (в съавт.). Авт. свид. № 25500/1977. Пиезоелектричен трансформатор (в съавт,).
Авт. свид. № 26145/1978. Лазерен доплеров измерител на скорост (в съавт.).
Авт. свид. № 55243/1983. Автоклав със самоуплътняващ се затвор (в съавт.).
Авт. свид. № 67300/1984. Метод за нанасяне на тънки слоеве от двухромен триокис (в съавт.).
Авт. свид. № 75536/1986. Кварцов резонатор с линейна температурно-честотна характеристика (в съавт.).
Авт. свид. № 72309/1986. Метод за изготвяне на датчик за влага (в съавт.).
Авт. свид. № 75524/1986. Метод и устройство за анализ на пространственото разпределение на повърхностните състояния в полупроводници (в съавт.).